CSD16570Q5B دیتاشیت

CSD16570Q5B

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت CSD16570Q5B
حجم فایل 483.426 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت CSD16570Q5B

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

CSD16570Q5BT 13 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Texas Instruments CSD16570Q5BT
  • Package: SON-8(6x5)
  • Manufacturer: Texas Instruments
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 12V
  • Package / Case: 8-PowerTDFN
  • Vgs (Max): ±20V
  • FET Feature: -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250nC @ 10V
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
  • Part Status: Active
  • Base Part Number: CSD165
  • Series: NexFET™
  • Mounting Type: Surface Mount
  • FET Type: N-Channel
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V
  • detail: N-Channel 25V 100A (Ta) 3.2W (Ta), 195W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)

محصولات مشابه